STW10NK80Z 时间：2025/7/22 21:13:49 阅读：7

STW10NK80Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的MESH OVERLAY技术，提供高雪崩能量耐受能力、出色的热稳定性和高可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.65Ω（@VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功率耗散（PD）：70W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

STW10NK80Z 的主要特性之一是其卓越的雪崩击穿耐受能力，能够在高能量脉冲下保持稳定运行，适用于高可靠性应用。此外，该MOSFET具有良好的热性能，能够在高温环境下保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。
　　该器件采用了先进的MESH OVERLAY技术，优化了电场分布，提高了器件的耐用性和稳定性。同时，其低栅极电荷（Qg）特性使得开关损耗显著降低，非常适合高频开关应用。
　　在封装方面，STW10NK80Z 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，便于安装和使用。其封装材料符合 RoHS 标准，支持环保设计。
　　STW10NK80Z 还具有优异的抗短路能力和高dv/dt耐受性，适用于需要高可靠性的工业电源、电机控制、照明系统和DC-DC转换器等应用。

应用

STW10NK80Z 主要应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器、LED照明驱动、DC-AC转换器以及工业自动化控制系统。该器件的高耐压能力和良好的导通性能使其在高功率应用中表现出色。
　　在开关电源领域，STW10NK80Z 可用于PFC（功率因数校正）电路、主开关管以及同步整流电路中，提高系统效率并降低损耗。
　　在电机控制方面，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制，并具备良好的过载保护能力。
　　此外，STW10NK80Z 也广泛用于太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）中，作为主开关元件，确保系统的高效率和高可靠性。
　　在照明应用中，该器件可用于高亮度LED驱动电路，支持宽电压输入范围和恒流输出控制。