UML6N 时间：2025/12/25 11:54:30 阅读：14

UML6N是一种小型化的表面贴装低功率双向瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于保护敏感电子电路免受瞬态电压脉冲的损害，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应等引起的过电压。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有快速响应时间、低钳位电压和高可靠性等特点，广泛应用于便携式电子设备、通信接口和工业控制系统中。UML6N的封装形式通常为SOD-523或同等微型贴片封装，适合在空间受限的高密度PCB布局中使用。其双向设计意味着它可以有效抑制正负两个方向的瞬态电压，适用于交流信号线路或可能承受双极性瞬态冲击的直流线路保护。由于其低漏电流和低电容特性，UML6N特别适合用于高速数据线保护，如USB、HDMI、RS-232、GPIO等接口，不会对信号完整性造成显著影响。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，在现代电子产品中具有良好的兼容性和可持续性。

参数

类型：双向TVS二极管
　　反向工作电压（VRWM）：6V
　　击穿电压（VBR）：最小6.7V，最大7.4V
　　测试电流（IT）：1mA
　　最大钳位电压（VC）：10V（在IPP = 1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（最大）
　　峰值脉冲功率（PPP）：600W（10/1000μs波形）
　　漏电流（IR）：小于1μA（在VRWM下）
　　电容值（Cj）：约50pF（在0V偏压下）
　　响应时间：小于1ps
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-523

特性

UML6N的核心特性之一是其超快响应能力，能够在皮秒级别内响应瞬态过电压事件，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或气体放电管。这种极短的响应时间确保了在ESD事件发生时（例如人体模型HBM 8kV），保护器件能立即导通并将瞬态能量引导至地，从而防止下游集成电路受到损坏。该器件采用硅PN结雪崩击穿原理工作，在正常工作电压下呈现高阻态，几乎不消耗系统电流；当瞬态电压超过其击穿阈值时，迅速进入低阻导通状态，将电压钳制在安全范围内。由于其双向结构设计，UML6N可以在正负两个方向上提供对称的保护性能，非常适合用于差分信号线或可能存在反向电压波动的电路环境中。
　　另一个关键优势是其低动态电阻和低钳位电压特性。在1A的峰值脉冲电流下，钳位电压仅为10V，这意味着被保护的后级电路所承受的过冲电压非常有限，提高了系统的整体可靠性。同时，其典型结电容为50pF，在高频信号线路中引入的信号衰减和失真较小，适用于数据速率较高的通信接口。此外，UML6N具备良好的热稳定性和长期耐久性，能够承受多次重复性的瞬态冲击而不发生性能退化。其SOD-523封装不仅体积小巧（约1.6mm × 1.2mm × 0.95mm），还具有优异的散热性能，适合自动化贴片生产流程，提升了制造效率与产品一致性。

应用

UML6N广泛应用于各类需要瞬态过压防护的电子系统中，尤其是在消费类电子产品中表现突出。例如，在智能手机和平板电脑中，它常被部署于USB充电接口、耳机插孔、触摸屏信号线以及摄像头模组连接器等位置，以抵御用户日常使用中可能产生的静电放电。在可穿戴设备如智能手表和健康监测仪中，由于空间极为紧凑且电池供电系统对功耗敏感，UML6N的小尺寸和低漏电特性使其成为理想的ESD保护方案。工业控制领域也大量采用此类TVS器件，用于PLC输入输出端口、传感器信号调理电路和通信总线（如CAN、I2C、SPI）的防护，提高设备在恶劣电磁环境下的运行稳定性。此外，在汽车电子系统中，尽管主电源线通常使用更高功率的TVS，但UML6N可用于车内信息娱乐系统的辅助信号线路保护。医疗电子设备中对安全性和可靠性要求极高，UML6N也被用于便携式监护仪、血糖仪等人机接触型设备的接口保护，确保患者和操作人员的安全。总之，凡是存在低能量瞬态干扰风险的低压电路节点，都是UML6N的适用场景。