产品类型：MOSFET阵列
　　拓扑结构：双N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　栅源电压（VGS）：±8 V
　　连续漏极电流（ID）：5.7 A（单通道）
　　脉冲漏极电流（IDM）：22 A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.7 mΩ（@ VGS = 4.5 V, ID = 2.85 A）
　　阈值电压（VGS(th)）：0.9 V ~ 1.4 V
　　输入电容（Ciss）：680 pF（@ VDS = 10 V）
　　开关时间：开启时间约8 ns，关断时间约15 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L（双通道）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJA）：45°C/W（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：8.5 nC（@ VGS = 4.5 V）

UML1E4R7MDD1TD采用了Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，这种技术通过优化晶圆层面的结构设计，显著降低了MOSFET的导通电阻（RDS(on)），同时提升了单位面积内的电流承载能力。该器件的低RDS(on)特性使其在大电流应用场景中表现出色，能够有效减少功率损耗并提升系统能效。例如，在电池供电设备中，更低的导通损耗意味着更长的续航时间和更少的热量积累，这对小型化和高集成度的设计至关重要。
　　TrenchFET技术还带来了更快的开关速度，使得UML1E4R7MDD1TD在高频开关电源和DC-DC转换器中具有优异的动态响应能力。其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）减少了驱动电路所需的能量，从而降低了驱动损耗并简化了栅极驱动设计。这对于采用低功耗控制器或微处理器直接驱动MOSFET的应用尤为重要，可以避免额外的驱动芯片，节省成本和PCB空间。
　　该器件内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，形成双通道配置，允许用户灵活地用于同步整流、H桥驱动或双路负载开关等拓扑结构。每个通道都经过精确匹配，保证了在并联使用时的均流性能，提升了系统的可靠性和稳定性。此外，器件具有良好的热耦合特性，两个MOSFET共享同一散热焊盘，有利于均匀散热，防止局部过热导致的性能下降或失效。
　　UML1E4R7MDD1TD具备出色的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，能够在瞬态过压或反向电流冲击下保持安全运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于严苛环境下的工业控制、汽车电子及便携式医疗设备。综合来看，这款MOSFET阵列凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代高效电源管理系统中的理想选择之一。

UML1E4R7MDD1TD广泛应用于各类需要高效开关控制和紧凑布局的电子系统中。在移动通信设备领域，如智能手机和平板电脑中，它常被用作电池侧的负载开关或电源路径管理单元，负责在不同功能模块之间切换供电，以降低待机功耗并延长电池寿命。由于其低导通电阻和快速响应特性，能够在电源接通瞬间迅速建立通路，减少电压跌落，保障系统稳定启动。
　　在笔记本电脑和超极本的电源管理架构中，该器件可用于CPU核心电压调节模块（VRM）中的同步整流部分，替代传统二极管以提高转换效率。其双通道结构支持多相交错设计，有助于分散热应力并提升整体功率输出能力。此外，在DC-DC降压或升压转换器中，UML1E4R7MDD1TD可作为主开关或同步整流管使用，配合控制器实现高达95%以上的转换效率。
　　工业自动化设备中也常见其身影，例如PLC模块、传感器接口电路和电机驱动单元。在此类应用中，器件的高耐温性和抗干扰能力确保了长时间连续运行的稳定性。汽车电子系统中，尽管其额定电压为20V，但在某些12V车载电源子系统（如信息娱乐系统、车身控制模块）中仍可胜任低边开关或LED驱动任务。
　　此外，UML1E4R7MDD1TD还可用于USB电源开关、热插拔控制器、便携式医疗仪器以及无人机电源分配系统等新兴领域。其小型化的PowerPAK SO-8L封装非常适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对轻薄化和高性能的双重需求。

SiSS058DN-T1-GE3
　　AO4407A
　　BSC059N03LS