时间：2025/6/26 19:11:53
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DMN61D8LVT是一款由Diodes Incorporated公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用DFN5060-2B封装形式，具有超低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC/DC转换器以及电池管理等应用。该器件设计紧凑，适合需要节省空间的应用场景。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.9A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（在Vgs=4.5V时）
输入电容(Ciss)：470pF
总功耗(Ptot)：1.7W
工作温度范围(Ta)：-55°C至+150°C
DMN61D8LVT拥有非常低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提升了效率。其小型化的DFN5060-2B封装非常适合用于对空间要求严格的设计中。
此外，该器件具有快速的开关性能，有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。
由于采用了无引脚封装技术，该器件还具备出色的热性能和电气性能，同时增强了产品的可靠性和抗潮湿能力。
DMN61D8LVT广泛应用于消费类电子产品的电源管理领域，包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备的负载开关功能。
它也适用于DC/DC转换器中的同步整流，LED驱动电路中的开关元件，以及电池保护和管理电路中的关键组件。
其高效的特性和紧凑的尺寸使其成为现代电子设备的理想选择。
DMN60D8LHT, DMN61D8LHT
