时间：2025/6/19 16:27:22
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UMK212SD682KD-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于多种电力电子应用，包括但不限于电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其封装形式为TO-252（DPAK），有助于提高散热性能并简化电路板布局。
该器件的主要特点是能够在高频条件下保持高效能表现，同时具备出色的热稳定性和可靠性。通过优化沟道结构和减少寄生电感，能够有效降低开关损耗，提升系统效率。
型号：UMK212SD682KD-T
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：2.9mΩ (典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：39W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
输入电容(Ciss)：1540pF
输出电容(Coss)：130pF
反向恢复时间(trr)：40ns
UMK212SD682KD-T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为2.9mΩ，显著降低了导通损耗，特别适合大电流应用场景。
2. 快速开关能力，得益于其较低的输入和输出电容，使得器件能够在高频条件下运行，从而适应现代高效能电源设计的需求。
3. 高额定电流（28A）支持更广泛的应用范围，尤其适用于需要处理较大功率的工作环境。
4. 热稳定性强，可承受高达+175°C的工作温度，确保在恶劣环境下仍能保持可靠性能。
5. 封装采用TO-252（DPAK），不仅提升了散热效果，还简化了PCB设计和安装过程。
6. 内置ESD保护功能，增强了器件的抗静电能力，提高了整体系统的可靠性。
UMK212SD682KD-T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
4. 汽车电子设备，如负载切换和电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. 便携式电子设备的充电管理模块。
凭借其高性能和可靠性，该器件成为众多电力电子应用的理想选择。
UMK212SD682KD, IRF6744PBF, AO682K
