FMV13N60E 时间：2025/8/9 19:07:46 阅读：24

FMV13N60E是一款N沟道增强型高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、电机控制、照明驱动以及各种开关电源系统中。该器件由富士电机（Fuji Electric）制造，具备较高的耐压能力和较大的导通电流能力，适用于高效率、高频工作的场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.45Ω（典型值）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-3P等

特性

FMV13N60E具有低导通电阻特性，有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。
　　该器件的漏源耐压达到600V，适用于中高压应用，如AC/DC电源转换器、DC/DC变换器等。
　　其封装形式（如TO-220或TO-3P）便于散热，适用于中高功率应用场景。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V~15V驱动电压，兼容多种栅极驱动IC和控制电路。
　　同时，其快速开关特性有助于减小开关损耗，提升高频工作的稳定性与效率。
　　由于其优良的性能参数和稳定性，FMV13N60E广泛应用于工业电源、LED照明驱动、电机控制、UPS不间断电源等领域。

应用

该器件主要应用于各种中高压功率转换系统中，例如开关电源（SMPS）、AC/DC转换器、DC/DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明驱动电源以及工业自动化控制设备。
　　在这些应用中，FMV13N60E可以作为主开关器件使用，实现高效的电能转换与控制。
　　此外，它也可以用于高边或低边开关应用，适用于桥式电路、Buck/Boost变换器、PFC（功率因数校正）电路等拓扑结构。
　　在电机控制领域，FMV13N60E可以用于驱动直流电机或无刷直流电机（BLDC），实现调速和启停控制。
　　在UPS系统中，该MOSFET可作为逆变器开关元件，提供稳定的交流输出。
　　此外，该器件也适用于高频变压器驱动电路和电源适配器设计。