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IS61LV5128AL-10TLI 发布时间 时间:2025/5/7 9:18:41 查看 阅读:8

IS61LV5128AL-10TLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用低电压 CMOS 技术制造,具有低功耗和高可靠性的特点。它支持单电源供电,适合在需要快速数据访问和稳定性能的嵌入式系统中使用。
  这款 SRAM 提供了 512K x 8 的存储容量,总容量为 4Mbit。其封装形式为 TQFP(薄型四方扁平封装),引脚数为 44,适用于工业级和商业级应用。

参数

存储容量:512K x 8 bits (4Mbit)
  工作电压:2.5V ± 0.2V
  访问时间:10ns
  数据保持时间:无限期(只要供电正常)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TQFP-44
  I/O 结构:三态输出
  刷新要求:无刷新需求(静态存储器)

特性

1. 高速访问能力,支持 10ns 的快速数据读写操作。
  2. 低功耗设计,在待机模式下功耗极低。
  3. 采用 CMOS 工艺制造,确保长期可靠性。
  4. 单电源供电,简化电路设计。
  5. 具有三态输出缓冲器,便于与多种系统架构集成。
  6. 支持全地址范围内的任意单元访问,无需刷新操作。
  7. 宽温度范围支持,适应多种环境下的应用需求。

应用

IS61LV5128AL-10TLI 广泛应用于需要高性能、低功耗存储解决方案的领域,例如:
  1. 网络通信设备,如路由器、交换机等。
  2. 工业控制设备,包括 PLC 和数据采集系统。
  3. 嵌入式计算机系统中的缓存存储。
  4. 医疗设备中的临时数据存储。
  5. 汽车电子系统的控制模块。
  6. 图形处理和显示缓冲区。
  由于其高速和低功耗的特点,这款 SRAM 特别适合实时性要求较高的应用场景。

替代型号

IS61LV5128ALL-10BHI, IS61LV5128AL-10BHI, IS61LV5128ALL-10TLI

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IS61LV5128AL-10TLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量4 Mbit
  • 组织512 K x 8
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max3.63 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作电流20 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-44
  • 封装Tray
  • 接口Parrallel
  • 最大时钟频率100 MHz
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量135
  • 类型Asynchronous