IS61LV5128AL-10TLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用低电压 CMOS 技术制造,具有低功耗和高可靠性的特点。它支持单电源供电,适合在需要快速数据访问和稳定性能的嵌入式系统中使用。
这款 SRAM 提供了 512K x 8 的存储容量,总容量为 4Mbit。其封装形式为 TQFP(薄型四方扁平封装),引脚数为 44,适用于工业级和商业级应用。
存储容量:512K x 8 bits (4Mbit)
工作电压:2.5V ± 0.2V
访问时间:10ns
数据保持时间:无限期(只要供电正常)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TQFP-44
I/O 结构:三态输出
刷新要求:无刷新需求(静态存储器)
1. 高速访问能力,支持 10ns 的快速数据读写操作。
2. 低功耗设计,在待机模式下功耗极低。
3. 采用 CMOS 工艺制造,确保长期可靠性。
4. 单电源供电,简化电路设计。
5. 具有三态输出缓冲器,便于与多种系统架构集成。
6. 支持全地址范围内的任意单元访问,无需刷新操作。
7. 宽温度范围支持,适应多种环境下的应用需求。
IS61LV5128AL-10TLI 广泛应用于需要高性能、低功耗存储解决方案的领域,例如:
1. 网络通信设备,如路由器、交换机等。
2. 工业控制设备,包括 PLC 和数据采集系统。
3. 嵌入式计算机系统中的缓存存储。
4. 医疗设备中的临时数据存储。
5. 汽车电子系统的控制模块。
6. 图形处理和显示缓冲区。
由于其高速和低功耗的特点,这款 SRAM 特别适合实时性要求较高的应用场景。
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