UMK105CH050DV-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低系统能耗并提升整体性能。
这款器件特别适合需要高频开关和低功耗的应用场景,其封装形式紧凑,便于在有限空间内进行布局设计。
型号:UMK105CH050DV-F
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):50V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):90A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):75nC(典型值)
反向恢复时间(trr):45ns(典型值)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
UMK105CH050DV-F 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用场合。
3. 强大的电流承载能力,确保在高负载条件下稳定运行。
4. 优异的热性能,能够在高温环境下保持可靠的工作状态。
5. 紧凑的封装设计,节省电路板空间。
6. 符合RoHS标准,环保且安全。
UMK105CH050DV-F 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统(BMS)中作为关键功率器件。
UMK105CH050DQ-F, IRF540N, AO4404