UMK105CG1R8BV-F 是一种陶瓷电容器,属于 C0G (NP0) 类介质材料的多层陶瓷电容器 (MLCC)。该型号主要应用于高频电路、滤波器和信号耦合场景,具有高稳定性和低温度系数特性。
这种电容器能够在宽温度范围内保持稳定的电容值,并且具有较低的损耗。其采用表面贴装技术 (SMT),适合自动化生产和紧凑型设计需求。
电容值:1.8nF
额定电压:50V
公差:±5%
尺寸代码:0603 (1608 Metric)
介质材料:C0G (NP0)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:SMD
DC偏置特性:不显著(适用于C0G介质)
UMK105CG1R8BV-F 的核心特点是使用了 C0G (NP0) 介质材料,这使其具备以下优势:
1. 温度稳定性:在 -55°C 至 +125°C 的温度范围内,电容值的变化非常小,通常小于 ±30 ppm/°C。
2. 高频性能:由于其低等效串联电阻 (ESR) 和低等效串联电感 (ESL),适合用于高频应用。
3. 尺寸紧凑:采用标准 0603 封装,非常适合空间受限的设计。
4. 高可靠性:C0G 介质材料不受直流偏置影响,因此在各种应用场景下表现出一致的性能。
5. 环保合规:符合 RoHS 标准,无铅焊接工艺兼容。
该型号的电容器广泛应用于以下领域:
1. 高频通信设备中的滤波和信号耦合。
2. 振荡电路及时钟电路中的谐振元件。
3. 射频 (RF) 电路中的阻抗匹配和去耦。
4. 工业控制设备中的电源滤波。
5. 消费类电子产品中的噪声抑制和信号调理。
6. 医疗设备中的精密信号处理电路。
7. 汽车电子系统中的高频信号链路组件。
CMK105CG1R8BV-F, GRM155C80J1R8K01D, Kemet C0805C182K5RACTU