时间：2025/6/19 4:15:10
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UMK105CG1R5DV-F 是一种基于陶瓷材料的多层片式电容器 (MLCC)，主要用于高频电路中的滤波、耦合和去耦。它属于 C0G（NP0）介质类型，具有高稳定性和低温度系数特性，适合要求严格电气性能的应用场景。
该型号是表面贴装器件 (SMD)，采用紧凑型封装设计，能够适应现代电子设备对小型化和高效能的需求。
额定电压：100V
电容量：1.5nF
容差：±5%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
尺寸：1005英寸 (约0.4mm x 0.2mm)
介质材料：C0G (NP0)
封装形式：片式 (SMD)
端子材质：锡银铜合金
UMK105CG1R5DV-F 的主要特点是其采用了 C0G (NP0) 介质，这使得它在宽温度范围内具有极其稳定的电容量和极低的温度漂移，温度系数通常小于 ±30 ppm/°C。
此外，由于采用了多层陶瓷结构，这种电容器具备较低的等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL)，非常适合高频应用。
它的紧凑尺寸使其易于集成到小型化或高密度的 PCB 设计中，同时其高可靠性也保证了长期使用的稳定性。
该型号电容器广泛应用于射频 (RF) 电路、无线通信模块、医疗设备、工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中。
典型应用场景包括：
1. 高频信号滤波；
2. 振荡器和频率合成器中的谐振电路；
3. 放大器和混频器的输入输出匹配网络；
4. 数字电路的电源去耦；
5. 精密模拟电路中的耦合与隔直功能。
CM105CG1R5BB01A, GRM155C80J1R5BN01D, K105CG1R5ABAC-T
