UMK105CG080DV-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效率电力电子设备中。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而优化了系统性能并降低了能量损耗。
UMK105CG080DV-F 的封装形式为 TO-263(DPAK),支持表面贴装技术(SMD),使其适用于自动化生产流程,同时具备良好的散热性能。此外,该器件还集成了过流保护和热关断功能,提升了系统的稳定性和可靠性。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:5.7A
导通电阻:8mΩ
栅极电荷:25nC
开关时间:t_on=9ns, t_off=22ns
功耗:14W
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 低导通电阻:UMK105CG080DV-F 提供了仅为 8mΩ 的导通电阻,有效减少了导通状态下的能量损耗,提高了整体效率。
2. 高速开关能力:该器件的开关时间为纳秒级,能够快速响应负载变化,适合高频应用环境。
3. 热性能优越:采用 DPAK 封装,确保高效的热量散发,使芯片能够在高温条件下长期稳定运行。
4. 内置保护功能:集成过流保护和热关断机制,避免因异常工况导致的损坏。
5. 兼容性强:支持多种拓扑结构,例如降压、升压及反激式转换器等,便于设计灵活多样的电路方案。
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动控制
3. DC-DC 转换模块
4. 汽车电子系统
5. 工业自动化设备
6. 可再生能源逆变器
7. 电池管理系统(BMS)中的充放电管理
IRF540N
FDP5800
AOT292L