时间：2025/6/23 12:29:59
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UMK063CG6R5DTHF是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升电路的能效表现。
该器件为N沟道增强型MOSFET，封装形式为TO-263（D-PAK），适合表面贴装技术（SMT）。其优异的热性能和电气性能使其在工业控制、汽车电子及消费类电子产品中得到广泛应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻（典型值）：0.12Ω
栅极电荷：29nC
总功耗：24W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263
1. 低导通电阻设计，有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，有助于降低开关损耗并支持高频应用。
3. 具备出色的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
4. 高击穿电压（650V），适应多种高压应用场景。
5. 支持表面贴装工艺，简化生产流程并提高装配可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力，提升产品可靠性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 汽车电子中的负载开关
5. 工业自动化设备
6. LED照明驱动电路
7. 电池管理及保护系统
UMK063CG6R5DTLF, IRFZ44N, FDP5800
