时间：2025/7/2 11:10:25
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UMK063CG5R5DTHF 是一款高性能的 MOSFET 功率器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。该型号采用先进的制程工艺制造，具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，适用于需要高效能和低损耗的电路设计。
此器件为 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式为 D2PAK（TO-263），具有较大的散热面积，适合高功率应用场合。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.055Ω
栅极电荷：45nC
总电容：2000pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻降低了传导损耗，提升了整体效率。
2. 快速的开关速度减少了开关损耗，适合高频应用。
3. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行。
4. 封装具备良好的散热性能，能够有效降低结温，延长使用寿命。
5. 具备优异的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
该器件适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
5. LED 照明驱动电路中的功率管理部分。
UMK063CG5R5DTLF, IRFZ44N, FDP5800
