UMK063CG510JTHF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
UMK063CG510JTHF 属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 TO-247,适合大功率应用场景。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:35A
导通电阻:0.05Ω
栅极电荷:80nC
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
功耗:250W
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗并提升整体效率。
2. 高速开关能力,使得其非常适合高频开关应用。
3. 出色的热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。
4. 内置反向恢复二极管,进一步优化了效率并减少了电磁干扰。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计。
6. 可靠性高,适用于严苛的工作环境。
1. 开关电源(SMPS)
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车牵引逆变器
5. 电池管理系统 (BMS)
6. 不间断电源 (UPS) 系统
UMK063CG510JTFH, IRF540N, FQP50N06L