时间：2025/6/16 18:36:08
阅读：3
FN18N222F500PBG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沦道 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺。该器件主要应用于需要高效功率转换和低导通电阻的场合。其设计优化了开关性能和热管理能力，适合用于各种工业和消费类电子设备中。这种 MOSFET 通常被用作功率开关，在电源管理、电机驱动以及其他高电流应用中发挥重要作用。
该型号的特点是具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了系统的整体效率。此外，它还具备良好的开关特性和抗电磁干扰能力，使其在复杂的工作环境中表现稳定。
最大漏源电压：222V
连续漏极电流：18A
导通电阻：500mΩ
栅极电荷：46nC
总功耗：15W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FN18N222F500PBG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频操作，适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 强大的电流处理能力，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围，能够在极端环境下可靠工作。
5. 小型封装设计，节省 PCB 空间，同时具备优秀的散热性能。
6. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强器件的可靠性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流电路。
3. 各种类型的电机驱动控制器。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED 照明驱动电路。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率转换设备。
7. 电池充电器和 UPS 系统中的关键组件。
IRFZ44N, FQP18N222, STP18NF222
