时间：2025/6/22 3:26:52
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251R15S820GV4E 是一款高性能的贴片式陶瓷电容器，属于 C0G（NP0）介质类型。该元件具有高稳定性和低温度系数的特点，广泛应用于高频电路、滤波器、振荡器以及其他对电容性能要求较高的场景。其封装设计紧凑，适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
这种型号的电容器通常具备出色的频率特性和较低的等效串联电阻（ESR），从而确保在高频条件下的优异表现。
额定电压：15V
电容量：20pF
容差：±5%
介质材料：C0G (NP0)
封装形式：0402
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
温度系数：0 ppm/℃
251R15S820GV4E 具有以下显著特点：
1. 高稳定性：由于采用了 C0G 介质，该电容器在宽温度范围内表现出极小的容量变化。
2. 低损耗：其设计保证了在高频应用中的低介质损耗，使得信号传输更加纯净。
3. 小型化：采用标准 0402 封装，节省 PCB 空间并适应自动化生产需求。
4. 可靠性强：能够在恶劣环境下长期稳定运行，适用于工业级及汽车级应用。
5. 容量精准：±5% 的容差范围提供了良好的精度控制，减少了设计偏差的可能性。
该电容器适用于多种高频电路环境，包括但不限于：
1. 滤波电路：用于去除不需要的高频噪声或干扰信号。
2. 谐振回路：构建高 Q 值谐振网络以实现精确频率选择。
3. 时间延迟电路：利用其稳定的电容值来控制时间常数。
4. 射频模块：支持无线通信设备中的射频前端设计。
5. 数据转换器耦合：在 ADC/DAC 中作为隔直电容，确保模拟信号完整性。
1206C20P0GACTU, GRM155R60J220KA01D
