时间：2025/7/12 18:03:40
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UMK063CG430JT-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于高频开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高耐压特性，能够显著提高系统的效率和可靠性。
UMK063CG430JT-F 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其优化的栅极驱动设计使得动态性能优越，同时支持高效的功率转换。此外，该器件具有良好的热特性和封装设计，有助于散热管理并提升整体性能。
最大漏源电压：650V
持续漏极电流：12A
导通电阻：0.045Ω
栅极电荷：85nC
输入电容：1200pF
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-247
1. 极低的导通电阻，确保高效功率转换。
2. 高耐压能力，适合高压应用场景。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 优化的热设计，改善散热性能。
5. 高可靠性和稳定性，能够在极端环境下运行。
6. 支持宽范围的工作温度，适应多种工况需求。
1. 开关电源 (SMPS)。
2. 工业电机驱动系统。
3. 太阳能逆变器。
4. DC-DC 转换器。
5. 电动车和混合动力车中的电力管理系统。
6. LED 驱动电路。
7. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFP460N
FDP18N65
STP12NK65M5
