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FDD5353 发布时间 时间:2025/7/8 21:20:53 查看 阅读:42

FDD5353 是一款高性能的 N 沃晶体管,属于 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)系列。该器件主要应用于高频、高效率的功率转换和开关电路中,例如 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机驱动等场景。其采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
  FDD5353 的封装形式通常为 SO-8 或更小型化的封装,便于在紧凑型设计中使用。此外,该器件具备优异的抗干扰能力及稳定性,适合于各种严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.1A
  导通电阻(典型值):70mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容:270pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低功率损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,能够支持高频操作,适用于高频 PWM 应用。
  3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,适配紧凑型产品需求。
  4. 高可靠性与宽广的工作温度范围,确保在极端条件下仍能稳定运行。
  5. 内置静电保护功能,增强器件对 ESD 的耐受能力。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或功率级开关。
  2. DC-DC 转换器,用于笔记本电脑、平板设备或其他便携式电子产品的电源管理。
  3. LED 驱动电路中的开关元件。
  4. 电池管理系统(BMS),用于锂电池保护和能量分配。
  5. 工业控制领域中的继电器替代方案或电机驱动电路。

替代型号

FDS6680, IRF7403ZPBF

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FDD5353参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3215pF @ 30V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD5353TR