UMK063CG0R7CTHF是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频功率放大器等应用。该器件采用了先进的封装工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的整体能效和功率密度。
该器件适合需要高性能和高可靠性的场景,其卓越的热管理和电气性能使其成为工业和消费电子领域中的理想选择。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:40mΩ
栅极电荷:90nC
反向恢复时间:10ns
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 高击穿电压:650V确保了在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻:仅为40mΩ,降低了传导损耗。
3. 快速开关性能:反向恢复时间短至10ns,有助于减少开关损耗。
4. 耐高温设计:能够在高达+175℃的结温下工作,适用于恶劣的工作条件。
5. 高可靠性:通过了严格的测试和验证流程,确保长期使用中的稳定性。
6. 小型化封装:优化了PCB布局空间,适合紧凑型设计需求。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动
4. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)
5. 射频功率放大器
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
UMK063CG1R0CTHF, UMK063CG0R8CTHF, UMK063CG0R6CTHF