类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）@25°C：13A
　　导通电阻（RDS(on)）：145mΩ
　　栅极电荷（Qg）：54nC
　　输入电容（Ciss）：1080pF
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220

IPT60R145CFD7 是 CoolMOS? CFD7 系列的代表产品，采用了英飞凌最新的超结技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)）和开关损耗，从而提升了整体效率。该器件的 RDS(on) 仅为 145mΩ，在600V功率MOSFET中处于领先水平，能够有效降低导通损耗。
　　此外，该MOSFET具有优化的栅极电荷（Qg），有助于降低高频开关应用中的驱动损耗。其内置快速恢复二极管（Fast Diode）结构，进一步提升了在硬开关和软开关拓扑中的性能表现。
　　该器件的封装形式为 TO-220，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合中高功率应用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应多种工业环境下的稳定运行。
　　CFD7 系列还通过了 AEC-Q101 认证，具备良好的可靠性和耐用性，适合对长期稳定性要求较高的工业和汽车电子应用。同时，该器件支持并联使用，以满足更高功率输出的需求。

IPT60R145CFD7 主要用于需要高效率和高功率密度的电源系统中，例如服务器电源、通信电源、工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电池充电器、LED照明电源以及电机驱动等应用场景。
　　由于其优异的开关特性和低导通损耗，该器件非常适合用于 LLC 谐振转换器、PFC（功率因数校正）电路、ZVS（零电压开关）和 ZCS（零电流开关）拓扑结构。同时，其内置的快速恢复二极管也使其在反激式和正激式电源设计中表现出色。
　　此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统中的DC-DC转换器和车载充电器等应用，满足汽车行业对高可靠性和高温稳定性的要求。

IPW60R145CFD7, STF12N60DM2, SPD24N60CFBG, IPA60R145CFD