UMJ316BB7473MLHT 是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
其封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,适合需要高电流承载能力的应用场景。
型号:UMJ316BB7473MLHT
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):70V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):160A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
总功耗(Ptot):200W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装:TO-220
UMJ316BB7473MLHT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置保护功能,如过流保护和热关断,提高系统可靠性。
5. 优化的封装设计,确保良好的散热性能,适用于高功率密度的应用环境。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
该器件适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的负载控制电路。
6. 汽车电子系统中的大电流开关应用。
IRFZ44N
STP160N06LL
FDP16N60