时间：2025/12/24 15:15:32
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UMJ316BB7105MLHT 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型 MOSFET。它被广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景，例如 DC-DC 转换器、电源适配器、电机驱动以及负载开关等应用。
该器件采用了先进的制造工艺和封装技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关速度以及出色的热性能。其高耐压能力使得 UMJ316BB7105MLHT 在高压环境中表现出色。
最大漏源电压：71V
连续漏极电流：10A
导通电阻.5mΩ
栅极电荷（Qg）：45nC
输入电容（Ciss）：2290pF
总电容（Crss）：180pF
输出电容（Coss）：185pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 4.5mΩ，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频应用，适合用于高效的功率转换电路。
3. 高击穿电压（71V），确保在高电压环境下稳定运行。
4. 热增强型 TO-247 封装，具备优秀的散热性能，适合大功率应用场景。
5. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路中的功率开关。
5. 光伏逆变器和电池管理系统中的功率转换模块。
6. 高效功率因数校正（PFC）电路中的开关器件。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRF740
FDP5570
STP10NK60Z
IXYS IXFN10N75T2
Infineon IPP018N06N3
