时间：2025/6/26 10:34:16
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UMJ212BB7104KGHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于多种开关电源和功率转换场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，能够满足现代电力电子设备对效率和可靠性的要求。
这款器件通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、LED 驱动器以及其他需要高效功率管理的应用中。
型号：UMJ212BB7104KGHT
类型：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
最大漏源电压（VDS）：700 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：16 A
导通电阻（RDS(on)）：85 mΩ（典型值，@ VGS=10V）
功耗（PD）：200 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
UMJ212BB7104KGHT 的主要特点是其高耐压能力，可承受高达 700V 的漏源电压，同时保持较低的导通电阻，从而减少传导损耗并提高系统效率。
此外，该器件具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗。
其卓越的热稳定性和坚固的设计使其在极端条件下也能保持可靠的性能。
该芯片还采用了 TO-247 封装，提供良好的散热性能和机械稳定性，非常适合高功率应用环境。
该芯片广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
- 开关模式电源（SMPS）中的主开关管
- 工业级电机驱动和控制电路
- 太阳能逆变器及风能发电系统中的功率转换
- 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的 DC-DC 转换器
- 高效 LED 驱动器和大功率照明系统
- 各种工业自动化和机器人技术中的功率管理单元
UMJ212BA7104KGHT
IRFP460
FDP18N70
