时间：2025/6/9 19:05:23
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UMJ107BB7472MAHT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，在低导通电阻、高效率和快速开关性能方面表现出色。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合高密度电路设计。
型号：UMJ107BB7472MAHT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：130W
工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
封装极数：3
UMJ107BB7472MAHT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。
2. 高击穿电压能力，确保在高压环境下的稳定运行。
3. 快速开关性能，可有效减少开关损耗。
4. 优秀的热稳定性，适用于高温工业场景。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 小型化封装，便于 PCB 布局优化。
这些特性使其成为高效能应用的理想选择，特别是在需要频繁开关或大电流处理的情况下。
该器件的应用领域包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 汽车电子系统中的负载开关与保护电路。
4. 工业控制设备中的电机驱动及逆变器。
5. 各类消费电子产品中的电池充电管理。
由于其出色的性能和可靠性，UMJ107BB7472MAHT 在汽车级和工业级应用中均具有广泛的适用性。
UMJ107BB7472MAH, IRFZ44N, FDP55N06L
