时间：2025/8/6 7:03:54
阅读：19
IXTH12N45是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及各种功率电子设备中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适合在高效率和高功率密度的系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A
漏源击穿电压（VDS）：450V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.38Ω（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约30nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247AC
IXTH12N45 MOSFET具备多项优异特性，使其在功率电子设计中具有广泛应用价值。首先，其漏源击穿电压高达450V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电源转换系统。其次，该器件的导通电阻RDS(on)典型值为0.38Ω，在VGS=10V下工作时，能有效降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具有良好的热稳定性和可靠性。其TO-247AC封装形式便于安装散热片，适用于高功率应用环境。该器件的栅极电荷Qg较低，有助于提升开关速度并减少开关损耗，从而提高整体能效。
IXTH12N45的工作温度范围为-55°C至+175°C，具备良好的温度适应性，适合在工业级和汽车级应用中使用。同时，该器件的栅源电压容限为±20V，允许一定的驱动电压波动，提高了使用的灵活性和安全性。
由于其优异的性能表现，IXTH12N45在设计中常用于反激式电源、谐振变换器、电机驱动以及LED驱动电源等应用中，是中高功率应用的理想选择。
IXTH12N45 MOSFET主要应用于以下领域：开关电源（如AC-DC和DC-DC转换器）、电机控制电路、太阳能逆变器、LED照明驱动电源、工业自动化设备以及汽车电子系统中的功率控制模块。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
IXTH12N45P, IXTH12N45Q, STP12N45, IRF840
