时间：2025/7/7 16:42:30
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UMJ107BB7223KAHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合在严苛的工业环境中使用。
该器件具有增强型 N 沟道设计，支持较高的连续漏极电流，并且内置了多种保护功能以提高系统可靠性。
型号：UMJ107BB7223KAHT
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-263-3
最大漏源电压（Vds）：70V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：45A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：80nC
开关频率：高达1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
UMJ107BB7223KAHT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适用于高频应用场合。
3. 高雪崩能力和强鲁棒性，增强了器件的可靠性和抗浪涌能力。
4. 内置过温保护和过流保护功能，确保电路安全运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 提供卓越的热性能，优化散热设计，减少外部散热器需求。
7. 稳定的工作温度范围，适应极端环境下的应用需求。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率级控制。
5. 各类高效节能产品中作为主功率开关元件。
UMJ107BB7223LAHT, IRFZ44N, FDP5800
