类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.5Ω（最大3.5Ω）
　　功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

STP3NC50 具有以下显著特性：
　　1. **高耐压能力**：500V的漏源击穿电压使其适用于多种高电压开关应用，如开关电源、AC-DC转换器等。
　　2. **低导通电阻**：典型Rds(on)为2.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. **高功率耗散能力**：TO-220封装具有良好的热性能，可有效散热，适用于连续工作的高功率场景。
　　4. **宽栅极电压范围**：±30V的栅源电压范围提供了灵活的驱动选择，适用于多种驱动电路设计。
　　5. **高可靠性**：采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和长期工作可靠性，适合工业级应用环境。
　　6. **过温保护能力强**：在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于恶劣工业环境。

STP3NC50 适用于多种功率电子系统设计，包括：
　　1. **开关电源（SMPS）**：用于AC-DC转换中的主开关或同步整流电路。
　　2. **DC-DC转换器**：在升压、降压或反相拓扑中作为功率开关器件。
　　3. **电机控制电路**：用于控制直流电机的启停和方向，适用于小型电机驱动系统。
　　4. **负载开关和继电器替代**：用于高电压负载的开关控制，如LED照明、加热元件等。
　　5. **电池管理系统**：用于电池充放电控制电路中，提供高效的功率切换功能。
　　6. **逆变器和UPS系统**：在小型逆变器或不间断电源中用于功率转换和控制。

STP4NC50、STP3N50、IRF840、FQP3N50C