时间：2025/7/8 14:07:22
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UMJ107BB7103KAHT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频开关和高功率密度应用。该器件采用先进的封装工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电源管理、通信系统以及工业自动化等领域。
该器件的核心优势在于其卓越的热性能和可靠性，同时具备优异的效率表现，能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
型号：UMJ107BB7103KAHT
类型：增强型 GaN 功率晶体管
工作电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：无（因 GaN 技术无反向恢复问题）
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装形式：TO-247-4L
UMJ107BB7103KAHT 的主要特性包括：
1. 高效的功率转换能力，得益于其低导通电阻和低开关损耗设计。
2. 支持高达 1MHz 的开关频率，适合高频应用场景。
3. 内置保护功能，如过温保护和短路保护，确保在恶劣环境下的稳定运行。
4. 先进的封装技术提供了良好的散热性能，支持更高的功率密度。
5. 集成了驱动电路优化，减少了外围元件数量，简化了系统设计。
6. 环保材料符合 RoHS 标准，适用于绿色能源解决方案。
7. 超低的 Qrr 和 Coss 特性进一步提升了效率与稳定性。
这款 GaN 晶体管以其高性能和可靠性成为现代功率电子领域的理想选择。
UMJ107BB7103KAHT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 工业电机驱动及逆变器。
3. 太阳能微型逆变器和储能系统。
4. 电动汽车充电设备，包括车载充电器 (OBC) 和直流快充桩。
5. 电信基站中的高效电源模块。
6. LED 驱动器和照明系统。
7. 高频谐振转换器和无线充电设备。
由于其出色的效率和高频性能，这款 GaN 器件非常适合需要紧凑设计和高功率密度的应用场景。
UMJ107BB7103KAHTT, UMJ107BB7103KAHL
