类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　最大反向重复电压（VRRM）：200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（半正弦波，8.3ms）
　　最大正向压降（VF）：0.88V @ 10A, Tj=25°C
　　最大反向漏电流（IR）：2.0mA @ 200V, Tj=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W（典型值）
　　封装形式：TO-277（DPAK）表面贴装

MBRD10200CT-13的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的封装设计相结合，使其成为高效电源整流方案的理想选择。首先，作为一款肖特基二极管，它利用金属-半导体结形成势垒，避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，因而具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr）。这一特性使得器件在高频开关环境中表现出色，有效减少了开关过程中的能量损耗，提升了系统效率。尤其在DC-DC降压变换器或同步整流替代方案中，这种快速响应能力至关重要。
　　其次，该器件具有较低的正向导通压降，在10A电流下典型值仅为0.88V，远低于普通硅整流二极管的1.2V以上水平。这意味着在大电流工作状态下，其导通损耗（P = VF × IF）显著降低，从而减少发热，提高能效。对于追求高功率密度的设计而言，这一点尤为关键。此外，低VF也有助于改善热管理设计，允许使用更小的散热器甚至实现无风扇散热，进一步缩小整机体积。
　　再者，MBRD10200CT-13采用中心抽头共阴极结构，特别适用于全波整流拓扑，如推挽式、半桥或全桥变换器的次级侧整流。这种集成化设计不仅节省PCB布局空间，还简化了电路布线，提高了可靠性并降低了寄生电感的影响。同时，TO-277表面贴装封装支持自动化回流焊工艺，适合现代大规模生产需求，并可通过焊盘优化实现良好的热传导路径，将芯片热量迅速传递至PCB地层进行散热。
　　最后，该器件具备良好的温度稳定性与抗浪涌能力，可承受高达150A的短时浪涌电流，增强了在启动或负载突变情况下的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-65°C ~ +125°C）也确保了在恶劣环境下的稳定运行。综合来看，MBRD10200CT-13是一款兼顾高性能、高可靠性和易制造性的功率整流器件，广泛适用于各类高效、小型化的电源系统设计。

MBRD10200CT-13主要应用于需要高效、低压大电流整流的电源系统中。常见应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是那些用于计算机、服务器、网络设备和工业控制系统的AC-DC适配器与电源模块。由于其低正向压降和快速开关特性，该器件常被用作次级侧整流元件，在隔离型反激、正激、推挽或半桥拓扑中实现高效的直流输出整流。此外，在DC-DC降压转换器中，尤其是在非同步整流架构中，MBRD10200CT-13可用于续流二极管或输出整流二极管，帮助降低导通损耗，提升转换效率。
　　在便携式电子设备如笔记本电脑、液晶显示器（LCD）电源板以及LED驱动电源中，该器件因其小型表面贴装封装和良好热性能而受到青睐，有助于实现轻薄化设计。在通信电源系统中，例如基站电源或光模块供电单元，MBRD10200CT-13也能提供稳定的整流功能，满足长时间连续运行的可靠性要求。
　　另外，由于其具备一定的浪涌电流承受能力，该器件也可用于电池充电电路、UPS不间断电源以及太阳能逆变器中的保护与整流环节。在这些应用中，它不仅能有效处理瞬态过电流，还能在高温环境下保持稳定性能。总体而言，MBRD10200CT-13适用于所有对能效、尺寸和热管理有较高要求的中等电压（200V以内）、大电流（10A级别）整流场景。

STPS10H200CT
　　VS-10BQ200-M3-XP
　　MBRS10200CTG
　　APT10S200B