型号：UMH2N TN
　　极性：N沟道
　　封装类型：SOD-523
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：400mA
　　最大栅源电压（Vgs）：±8V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值1.1V，最大值1.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值3.0Ω（Vgs=2.5V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值4.0Ω（Vgs=1.8V时）
　　输入电容（Ciss）：典型值9pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值0.3pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值3ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值7ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-a)）：典型值625K/W

UMH2N TN具备多项优异特性，使其在同类小信号MOSFET中表现出色。首先，其超低的阈值电压（Vgs(th)）使得该器件能够在1.8V甚至更低的逻辑电平下可靠开启，适用于由低电压微控制器直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路。这一特性显著简化了系统设计并降低了整体功耗。其次，尽管体积微小，UMH2N TN仍能提供相对较低的导通电阻，在Vgs=2.5V时Rds(on)最大仅为3.0Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高能源利用效率。
　　该器件采用SOD-523封装，尺寸仅为1.0mm × 0.6mm × 0.5mm，非常适合用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块和其他高度集成的便携式电子产品中。其小型化设计不仅节省PCB空间，还支持自动化高速贴片生产。此外，UMH2N TN具有良好的开关速度，输入电容和反向传输电容均处于较低水平，分别约为9pF和0.3pF，这意味着它可以在高频条件下快速响应，减少开关延迟和交叉导通风险，适用于高达数MHz的开关应用。
　　热性能方面，虽然SOD-523封装的散热能力有限，但凭借优化的芯片结构和材料选择，UMH2N TN仍能在正常工作条件下有效管理热量积累。其最大允许功耗在25°C环境下约为150mW，结合适当的PCB布局（如增加铜箔面积进行散热），可进一步提升实际散热效果。该器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在生产和使用过程中的可靠性。最后，UMH2N TN经过严格的质量控制和可靠性测试，符合AEC-Q101标准的部分要求，适用于对稳定性有较高需求的应用领域。

UMH2N TN广泛应用于多种低功率电子系统中。最常见的用途之一是作为电源管理中的负载开关，例如用于控制传感器、无线模块或显示背光的供电通断，以实现节能待机功能。在便携式设备中，它可以由MCU的GPIO引脚直接驱动，实现精确的电源域控制。此外，该器件也常用于电池供电系统的反向电流阻断电路，防止电池在关机状态下发生漏电。
　　在信号切换方面，UMH2N TN可用于模拟或数字信号路径的选择与隔离，例如音频信号切换或多路复用器中的开关元件。由于其低导通电阻和快速响应特性，能够保证信号完整性并减少失真。在DC-DC转换器拓扑中，特别是低压Buck或Boost电路中，UMH2N TN可作为同步整流管使用，替代传统肖特基二极管，从而降低压降和功耗，提升转换效率。
　　其他应用场景还包括LED驱动电路中的恒流调节开关、USB接口的过流保护控制、I2C总线上的电平隔离以及各类小型继电器或蜂鸣器的驱动电路。由于其高集成度和稳定性，UMH2N TN也被广泛用于物联网终端节点、智能卡、医疗监测设备和智能家居传感器模块中，作为关键的功率控制元件。

DMG2302UK-7