型号：UMH14N
　　类型：双N沟道MOSFET
　　封装：SOT-363 (SC-88)
　　极性：N沟道
　　漏源电压V(DSS)：50 V
　　栅源电压V(GSS)：±20 V
　　连续漏极电流I(D)：100 mA（单通道）
　　脉冲漏极电流I(DM)：400 mA
　　功耗Ptot：250 mW
　　导通电阻R(ds(on))：典型值5.5 Ω @ V(GS)=10 V；最大值8.5 Ω @ V(GS)=10 V
　　阈值电压V(gs(th))：典型值1.1 V，范围0.7 V ~ 1.5 V
　　输入电容Ciss：典型值9 pF @ V(DS)=10 V, V(GS)=0 V
　　反向传输电容Crss：典型值1.5 pF
　　开启延迟时间td(on)：典型值3 ns
　　关断延迟时间td(off)：典型值8 ns
　　工作结温范围Tj：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围Tstg：-55 °C 至 +150 °C

UMH14N的核心优势在于其微型化封装与高效能表现的结合，使其成为现代紧凑型电子系统中的理想选择。
　　首先，该器件采用SOT-363六引脚封装，尺寸仅为2.0 mm × 1.25 mm × 0.95 mm，极大节省了PCB布局空间，特别适用于高集成度的移动设备主板设计。尽管体积小巧，但其双通道结构允许两个独立的MOSFET同时工作，提升了系统的功能密度而无需增加额外的占位面积。
　　其次，UMH14N具有较低的栅极阈值电压（Vgs(th)典型值仅1.1 V），这意味着它可以在低至1.8 V甚至更低的逻辑电平下可靠导通，兼容现代微控制器、FPGA和数字信号处理器的输出电平，广泛应用于电平转换和低电压开关场景。这种低阈值特性还降低了驱动功耗，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　再者，其导通电阻Rds(on)在Vgs=10 V时典型值为5.5 Ω，在同类产品中处于领先水平，确保了较小的导通损耗和较高的能效。即使在高温环境下，该参数的变化也相对稳定，体现了良好的热稳定性。此外，输入电容和反向传输电容均保持在较低水平（Ciss约9 pF，Crss约1.5 pF），有利于减少高频开关过程中的充放电损耗，提升整体响应速度，适用于高速信号切换应用。
　　UMH14N还具备出色的可靠性与耐用性。其最大结温可达+150 °C，支持严苛环境下的长期运行。器件内部经过优化设计，具备一定的ESD防护能力，能够承受一定程度的人体模型（HBM）静电冲击，提高了生产装配过程中的良品率。同时，该器件无卤素（Halogen-free）且符合RoHS指令要求，满足当前绿色电子产品的环保规范。综合来看，UMH14N凭借其小尺寸、低功耗、高可靠性等多重优点，在现代电子系统中展现出强大的适用性和竞争力。

UMH14N广泛应用于各类需要小型化、低功耗开关控制的电子系统中。
　　在便携式消费电子产品领域，如智能手机、平板电脑和智能手表中，常被用作电源路径管理中的负载开关，用于控制不同功能模块（如传感器、显示屏背光、无线通信单元）的供电通断，以实现动态电源管理和节能目标。
　　在LED驱动电路中，UMH14N可用于实现多路LED的独立开关控制，尤其适用于指示灯或状态灯的亮灭调节，其低导通电阻可减小压降，提高亮度一致性。
　　在信号路由和模拟开关应用中，由于其低电容和快速响应特性，可用于音频信号切换、数据线选择或多路复用器前端控制，保证信号完整性。
　　此外，UMH14N也常见于逻辑电平转换电路中，连接不同电压域的数字系统（例如将3.3 V MCU输出转换为驱动5 V外围设备的信号），利用其低阈值电压实现双向或单向电平适配。
　　工业控制和物联网节点设备中，该器件可用于传感器使能控制、电池充电管理回路中的开关元件，或作为微功率继电器替代方案，降低系统复杂度和成本。
　　得益于SOT-363封装的小型化优势，UMH14N也非常适合用于高密度PCB设计和自动化表面贴装工艺，适用于大批量生产环境。其稳定的电气性能和宽工作温度范围也使其能在工业级环境中可靠运行。

BSS138W, DMG3415U, FDN302P, 2N7002K