时间：2025/11/7 20:42:10
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UMG5NGTR是一种由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道MOSFET，采用紧凑型表面贴装封装（如SON或类似小型化封装），主要面向便携式电子设备和高密度PCB设计应用。该器件基于先进的沟槽栅极工艺技术制造，能够在低电压下实现高效的开关性能和较低的导通电阻，适用于电池供电系统、负载开关、DC-DC转换器以及各类电源管理电路中。UMG5NGTR的设计注重能效与空间利用率，其小尺寸封装使其非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他对体积敏感的应用场景。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。由于其优化的栅极结构，UMG5NGTR在驱动逻辑电平信号时表现出色，能够直接由微控制器或其他低电压控制信号驱动，无需额外的电平转换电路。这款器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101等可靠性认证（若适用），可用于工业级和消费类电子产品中。作为一款通用型功率MOSFET，UMG5NGTR在效率、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是现代低功耗电源设计中的关键元件之一。
型号：UMG5NGTR
制造商：Rohm Semiconductor
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20 V
最大连续漏极电流（Id）：4.8 A
导通电阻（Rds(on)）：27 mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.4A
导通电阻（Rds(on)）：35 mΩ @ Vgs=2.5V, Id=2.4A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.6 V ~ 1.0 V
最大栅源电压（Vgs）：±12 V
功耗（Pd）：1 W（或根据封装热特性而定）
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SON (例如：DFN1006BD-3 或类似)
引脚数：3
极性：增强型
UMG5NGTR的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流传输过程中能量损耗显著降低，从而提高了整体系统的能效。在Vgs=4.5V条件下，其典型Rds(on)仅为27mΩ，而在更低的驱动电压2.5V下也能维持35mΩ的低阻状态，表明其具备出色的低压驱动能力，适合用于由3.3V或1.8V逻辑信号直接控制的场合。这种优异的导通性能对于减少发热、提升电池续航具有重要意义。
另一个关键特性是其超小型封装设计。UMG5NGTR采用SON或DFN类型的无引线封装，尺寸通常为1.0mm x 0.6mm或相近级别，极大节省了PCB布局空间，满足现代电子产品向轻薄化发展的需求。同时，该封装具备良好的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或地平面，有效降低热阻，提升长期运行的稳定性。
该器件还具备快速开关响应能力，输入和输出电容较小，栅极电荷（Qg）低，这意味着在高频开关应用中（如同步整流或开关稳压器）可以减少驱动损耗并提高转换效率。此外，其栅极氧化层经过优化处理，具有较高的抗静电（ESD）能力和长期可靠性，避免因瞬态电压冲击导致器件损坏。
UMG5NGTR的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子外围电路及户外设备等复杂应用场景。结合其高可靠性和批量生产一致性，该MOSFET被广泛用于需要长时间连续运行且维护困难的系统中。
UMG5NGTR广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理系统中。典型用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和电源隔离。在移动设备如智能手机和平板电脑中，它常被用于相机模组、显示屏背光或传感器电源的启停控制，凭借其低静态功耗和快速响应特性，有助于延长电池使用时间。
在DC-DC转换器拓扑结构中，特别是降压（Buck）变换器的同步整流部分，UMG5NGTR可作为低边开关使用，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接连接PWM控制器输出，简化驱动电路设计，减少外围元件数量。
此外，该器件也适用于电机驱动电路、LED驱动电源、USB供电接口的过流保护开关以及各种电池管理系统（BMS）中的充放电控制路径。在可穿戴设备中，由于对空间和功耗极为敏感，UMG5NGTR的小尺寸和高效能表现尤为突出。
工业领域中，它可用于PLC模块、传感器节点、无线通信模块等小型化控制系统中，承担电源切换或信号通路控制任务。其高可靠性与宽温工作能力确保在恶劣环境中仍能稳定运行。总体而言，UMG5NGTR是一款高度集成、性能优越的功率开关器件，适用于几乎所有需要小型化、低功耗、高效率MOSFET的现代电子系统。
DMG5005UFG-7
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