TE30N50E 时间：2025/9/3 16:45:29 阅读：10

TE30N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司生产。该器件专为高效率电源转换和功率控制应用而设计，具备低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性。TE30N50E广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理电路。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：30A（在25°C下）
　　导通电阻(Rds(on))：0.15Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(Pd)：150W

特性

TE30N50E具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET的漏源耐压高达500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的稳定运行。其次，其最大连续漏极电流为30A，确保在较高负载条件下仍能保持良好的导通性能。
　　导通电阻Rds(on)的最大值为0.15Ω，这一低电阻特性有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，并减少发热。此外，该器件具备较强的功率耗散能力，最大值为150W，能够在较高功率条件下保持稳定运行。
　　TE30N50E采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能和机械强度，适用于标准的插件式安装，便于在各种电路板上使用。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性广泛，可在恶劣环境条件下正常工作。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±30V，具备较强的栅极保护能力，避免因过高的栅压而损坏器件。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
　　综上所述，TE30N50E凭借其高耐压、大电流能力、低导通电阻、优异的热稳定性和可靠的封装设计，成为多种功率电子应用中的理想选择。

应用

TE30N50E广泛应用于多个领域的功率控制和转换系统。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET用于主开关元件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，TE30N50E可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，以满足不同电压需求。
　　此外，该器件也适用于逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），负责将直流电转换为交流电。在电机控制方面，TE30N50E常用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。
　　工业自动化设备、充电器、LED驱动电源、电子负载和测试设备等也常采用TE30N50E作为核心功率开关元件，以提高系统的可靠性和效率。