类型：IGBT模块
　　额定电压：1200V
　　额定电流：150A
　　导通压降：约2.1V
　　开关损耗：典型值为1.2mJ（开通）和2.8mJ（关断）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：双列直插式（DIP）
　　热阻（Rth）：结到壳热阻约为0.35°C/W

UMG2N G2 模块具有多项显著特性，首先，其高耐压能力（1200V）使其适用于高电压工作环境，同时具备较高的额定电流（150A），可以支持较大的负载能力。其次，该模块的导通压降较低，有助于降低导通损耗，从而提高整体效率。
　　此外，UMG2N G2 的开关损耗控制在较低水平，特别是在高频应用中，能够有效减少能量损耗和发热问题，延长设备的使用寿命。其优化的封装设计不仅提高了散热性能，还增强了模块的机械稳定性和可靠性。
　　UMG2N G2 还具备良好的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供更高的安全性。模块的封装材料和内部结构经过特殊设计，能够有效防止热疲劳和机械应力带来的损坏，从而保证长期运行的稳定性。
　　最后，该模块的电气隔离性能优异，能够满足工业设备对高安全性和可靠性的要求，同时支持多种冷却方式，如自然冷却、风冷或液冷，适应不同的应用场景。

UMG2N G2 IGBT模块广泛应用于多个高功率电子系统中。首先，在工业自动化领域，它被用于变频器和伺服驱动器，以实现电机的高效控制和节能运行。
　　其次，在可再生能源领域，该模块适用于太阳能逆变器和风力发电系统，负责将直流电转换为交流电，并确保系统的高效率和稳定性。
　　此外，UMG2N G2 也常见于电力转换设备中，例如不间断电源（UPS）和电能质量调节系统，能够提供可靠的功率转换和管理功能。
　　在电动汽车相关技术中，UMG2N G2 可用于充电桩和车载充电器，支持快速充电和高效的电能管理。其高可靠性和优异的热管理能力使其在高温或恶劣环境下也能稳定运行。
　　综上所述，UMG2N G2 是一款多功能、高性能的IGBT模块，适用于多个高功率电子系统的开发和设计。

SKM150GB12T4, FF150R12KS4P