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IRFR3708TRPBF 发布时间 时间:2025/6/4 18:04:25 查看 阅读:7

IRFR3708TRPBF是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。这款器件具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其优化的栅极电荷设计使得开关性能更加出色,从而提高整体系统效率。
  该器件主要应用于需要高效能和低损耗的场景中,例如直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路以及电动工具等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:56A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(典型值):74nC
  总栅极电荷:96nC
  输入电容:2280pF
  输出电容:3850pF
  反向传输电容:265pF
  结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFR3708TRPBF具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,在额定条件下仅为1.2mΩ,能够显著减少传导损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达56A的连续漏极电流。
  3. 栅极电荷较低,有助于提升开关速度并降低开关损耗。
  4. 宽泛的工作温度范围,从-55℃到175℃,适应各种恶劣环境条件。
  5. 热稳定性良好,确保长期运行中的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保无铅设计。
  7. TO-247封装提供优秀的散热性能,便于集成到功率密集型应用中。

应用

IRFR3708TRPBF广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies)及直流-直流转换器(DC-DC Converters),用于实现高效的电压调节功能。
  2. 电机驱动(Motor Drivers),特别是在大功率电机控制场合下表现出色。
  3. 电池保护电路(Battery Protection Circuits),以防止过流或短路情况发生。
  4. 负载开关(Load Switches),快速切换不同负载状态。
  5. 电动工具(Electric Tools)和其他便携式设备中的功率管理模块。

替代型号

IRFP3708, IRFB3708Z, IXYS GES3708T

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IRFR3708TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2417pF @ 15V
  • 功率 - 最大87W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR3708TRPBF-NDIRFR3708TRPBFTR