EVM3YSX50B25 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高耐压能力的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
该芯片设计用于支持大电流负载,并在高频开关条件下保持高效性能。其封装形式紧凑,适合空间受限的设计场景。
类型:MOSFET
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:25A
导通电阻:40mΩ
栅极电荷:80nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
EVM3YSX50B25 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高整体效率。
2. 高额定电压和电流能力,使其适用于多种高压应用场景。
3. 快速开关速度,减少了开关损耗,从而优化了高频应用中的表现。
4. 具备出色的热稳定性和耐热冲击能力,延长了产品的使用寿命。
5. 内置静电防护功能,增强了芯片在恶劣环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,确保环保与合规性。
EVM3YSX50B25 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):
包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提供高效稳定的电压输出。
2. 电机驱动:
用于控制各类电机的速度和方向,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 太阳能逆变器:
实现太阳能电池板与电网之间的能量转换。
4. 电动汽车(EV)系统:
在车载充电器和牵引逆变器中发挥关键作用。
5. 工业自动化设备:
提供高精度的功率控制和保护功能。
IRFP460N
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