您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > EVM3YSX50B25

EVM3YSX50B25 发布时间 时间:2025/6/20 12:44:29 查看 阅读:2

EVM3YSX50B25 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高耐压能力的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  该芯片设计用于支持大电流负载,并在高频开关条件下保持高效性能。其封装形式紧凑,适合空间受限的设计场景。

参数

类型:MOSFET
  最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:80nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

EVM3YSX50B25 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高整体效率。
  2. 高额定电压和电流能力,使其适用于多种高压应用场景。
  3. 快速开关速度,减少了开关损耗,从而优化了高频应用中的表现。
  4. 具备出色的热稳定性和耐热冲击能力,延长了产品的使用寿命。
  5. 内置静电防护功能,增强了芯片在恶劣环境下的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,确保环保与合规性。

应用

EVM3YSX50B25 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):
   包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提供高效稳定的电压输出。
  2. 电机驱动:
   用于控制各类电机的速度和方向,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
  3. 太阳能逆变器:
   实现太阳能电池板与电网之间的能量转换。
  4. 电动汽车(EV)系统:
   在车载充电器和牵引逆变器中发挥关键作用。
  5. 工业自动化设备:
   提供高精度的功率控制和保护功能。

替代型号

IRFP460N
  FDP18N65
  STP17NS60W

EVM3YSX50B25推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

EVM3YSX50B25参数

  • 安装类型表面贴装
  • 容差±25%
  • 尺寸3.1 x 3.75 x 1.55mm
  • 接端样式焊垫
  • 最低工作温度-40°C
  • 最大电阻值200kΩ
  • 最高工作温度+100°C
  • 深度3.75mm
  • 温度系数±250ppm/°C
  • 转数1
  • 长度3.1mm
  • 额定功率0.15W
  • 高度1.55mm