时间：2025/6/9 19:03:24
阅读：5
UMF316B7472MFHT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，主要用于开关和功率控制应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性等特性。其封装形式为 TO-263，适合表面贴装技术（SMT），广泛应用于工业和消费类电子产品中。
该 MOSFET 的设计使其能够在高频和高电流条件下高效运行，同时提供可靠的性能表现。
型号：UMF316B7472MFHT
类型：N 沟道增强型 MOSFET
Vds（漏源极电压）：70V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（持续漏极电流）：80A
Qg（总栅极电荷）：35nC
Vgs(th)（栅极开启电压）：2V~4V
fmax（最大工作频率）：5MHz
封装：TO-263
UMF316B7472MFHT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on) 仅为 4.5mΩ），能够显著降低功耗并提高效率。
2. 高额定电流能力（80A），适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，总栅极电荷低至 35nC，支持高频操作。
4. 宽工作电压范围（高达 70V），适合多种电源系统。
5. 表面贴装封装（TO-263），便于自动化生产和优化 PCB 布局。
6. 热稳定性强，能够在高温环境下保持可靠的工作状态。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使得 UMF316B7472MFHT 成为需要高效功率转换和低损耗的电路的理想选择。
UMF316B7472MFHT 可应用于广泛的领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和电机驱动器中的功率级控制。
3. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器和电池管理系统（BMS）。
4. 工业设备中的负载切换和保护电路。
5. 通信设备中的信号调节和功率分配。
6. LED 驱动器和照明系统中的恒流控制。
由于其高性能和可靠性，该 MOSFET 在需要高效率和低热量生成的场景中特别受欢迎。
IRF7739PbF, FDP5500NL, AO3400A
