时间：2025/9/1 18:45:05
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H5TQ4G83MFR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分。该型号通常用于高性能计算、图形处理、以及需要大容量快速存储的电子设备中。H5TQ4G83MFR 是一种GDDR6（Graphics Double Data Rate 6）类型的内存芯片，具有高频率、低功耗、以及高数据吞吐量的特点，适用于现代GPU、AI加速卡、以及高端游戏显卡等应用场景。
类型：GDDR6 SDRAM
容量：4Gb（512MB）
数据宽度：32位
频率：14Gbps
电压：1.35V（VDD）/ 1.5V（VDDQ）
封装类型：FBGA
引脚数：180
工作温度范围：-40°C至+85°C
带宽：14Gbps/pin
H5TQ4G83MFR 是一款高性能的GDDR6 SDRAM芯片，专为满足现代图形处理器和高性能计算设备对带宽和功耗的严格要求而设计。该芯片的数据传输速率高达14Gbps，相比前代GDDR5内存有了显著提升，使得GPU能够处理更复杂的数据集和更高分辨率的图形渲染。此外，H5TQ4G83MFR 在电压设计上采用了1.35V（VDD）和1.5V（VDDQ）双电源供电方式，有助于降低整体功耗并提高能效比，从而在高性能运行的同时保持较低的发热水平。该芯片的封装形式为180引脚的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），这种封装方式不仅提供了良好的电气性能，还具备较高的可靠性和散热能力，适用于高密度PCB布局。
在功能方面，H5TQ4G83MFR 支持多种高级特性，包括伪通道模式（Pseudo Channel Mode）、数据掩码（Data Mask）、以及温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR），这些特性能够进一步提升内存的灵活性和稳定性。伪通道模式允许将32位总线分割为两个16位通道，从而提高内存访问效率；数据掩码功能则可以有效减少不必要的数据传输，降低功耗；而温度补偿自刷新则能够在设备处于低功耗模式时动态调整刷新周期，以适应不同的工作温度环境，从而延长电池寿命并提高系统稳定性。
该芯片还具备良好的兼容性和扩展性，适用于多芯片堆叠（Stacking）配置，从而实现更高的内存容量和带宽。对于需要大规模并行计算的应用场景，例如人工智能、深度学习、以及高性能计算（HPC），H5TQ4G83MFR 能够提供强大的内存支持，确保数据的高速存取和处理。
H5TQ4G83MFR 主要应用于需要高性能图形处理和大带宽内存的设备，如高端显卡、AI加速卡、游戏主机、专业图形工作站、以及高性能计算系统。在现代GPU中，该芯片被广泛用于提供快速的数据访问能力，以支持4K/8K视频渲染、复杂3D建模、以及实时图形计算等任务。此外，H5TQ4G83MFR 也适用于需要高带宽和低延迟的嵌入式系统，如自动驾驶、图像识别、边缘计算等领域。
H5TQ4G83AFR、H5TQ2G83MFR、H5TQ1G83FFR
