时间：2025/6/11 14:28:34
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UMF316B7102MFHT 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片，广泛应用于开关电源、逆变器及电机驱动等场景。该器件具有高频率工作能力、低导通电阻和快速开关特性，能够在高频应用中显著降低能量损耗并提升系统效率。
该型号属于 UMG 系列 GaN FET 产品线，采用增强型横向场效应晶体管 (e-mode HEMT) 结构设计，具备良好的稳定性和可靠性。
额定电压：650V
最大漏极电流：14A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：40nC
输入电容：1280pF
反向恢复时间：无
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高效性能：由于采用了先进的 GaN 材料，该芯片能够提供比传统硅基 MOSFET 更高的效率，尤其是在高频开关条件下。
2. 快速开关速度：UMF316B7102MFHT 的开关速度快，可有效减少开关损耗并提高整体系统的响应能力。
3. 小尺寸封装：其紧凑的封装形式使得在有限空间内实现更高功率密度成为可能。
4. 热稳定性强：即使在极端环境温度下也能保持良好性能，适用于工业和汽车领域中的苛刻条件。
5. 可靠性高：通过严格的质量控制流程制造而成，保证了长期使用的可靠性和一致性。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车充电设备
5. 工业电机驱动
6. LED 照明驱动器
7. 无线充电模块
UMG316B7102MFHT, EPC2020, GXF316B7102M
