频率范围：800 MHz至1000 MHz
　　输出功率：典型值为60 W（在900 MHz）
　　增益：典型值为25 dB
　　效率：典型值为65%
　　工作电压：典型为28 V
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　封装尺寸：7.0 mm x 5.0 mm
　　热阻：典型值为1.2°C/W
　　输入驻波比（VSWR）：最大2.5:1

RF3196MSDTR13基于Renesas的高性能LDMOS工艺制造，具有高功率密度和优异的线性度，适用于多载波无线通信系统。该器件的宽频率范围（800-1000 MHz）使其能够灵活地应用于多种UHF频段的系统中，如蜂窝通信（包括4G LTE和部分5G应用）、DVB-T广播放大器和专业无线电设备。该晶体管具有良好的热管理性能，其低热阻设计确保在高功率操作下保持稳定的温度，从而提高可靠性和寿命。
　　此外，RF3196MSDTR13采用紧凑型表面贴装封装（SMD），适用于自动化生产和高密度PCB布局。其输入和输出匹配网络已经内部优化，减少了外部元件的数量，简化了设计流程。该器件还具有良好的抗失配能力，其输入和输出VSWR指标保证在宽工作范围内稳定运行。该晶体管在高温环境下仍能维持良好的性能，符合通信设备对高可靠性和长寿命的要求。
　　在电气性能方面，该晶体管在900 MHz频率下可提供高达60 W的输出功率，典型增益为25 dB，效率可达65%。这些特性使其非常适合用于基站功率放大器、射频测试设备和高功率射频信号发生器。同时，其高线性度表现也使其能够满足现代数字通信系统对信号保真度的严格要求。

RF3196MSDTR13主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、DVB-T发射机、工业射频加热系统、医疗射频治疗设备以及各种高功率射频放大器模块。此外，该器件也广泛用于测试与测量设备、广播系统和专业无线电通信设备中。

RF3196MSDTR13的替代型号包括NXP的BLF639和STMicroelectronics的STAC60AM。