时间：2025/6/21 3:48:39
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UMF28NTR是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动、负载开关等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合在高效率电源管理系统中使用。
UMF28NTR采用了先进的半导体制造工艺，能够在高频应用中提供优异的性能表现，同时其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
持续漏极电流：4.7A
导通电阻（典型值）：6mΩ
栅极电荷：1.5nC
开关时间：ton=9ns, toff=12ns
结温范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，适用于开关电源和DC-DC转换器。
3. 高电流处理能力，确保在大负载条件下稳定运行。
4. 良好的热稳定性，可承受较高的工作温度。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 各类便携式电子设备的电池管理。
6. 照明系统的调光与调压控制。
IRF7404, AO3400A, FDMQ8203
