型号：UTT80N75L
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：75V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：80A
　　脉冲漏极电流（IDM）：320A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：4.5mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：6.0mΩ
　　阈值电压（Vth min）：2.0V
　　阈值电压（Vth max）：3.0V
　　输入电容（Ciss）：4800pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：1200pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220/TO-247

UTT80N75L采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备极低的导通电阻，这使得其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统能效。其典型RDS(on)仅为4.5mΩ（在VGS=10V时），意味着在80A满载电流下，导通损耗仅约为28.8W，相较于传统MOSFET产品具有明显优势。该器件的低内阻不仅减少了发热，还降低了对散热系统的要求，有利于实现更紧凑的电源设计。
　　在开关性能方面，UTT80N75L表现出优异的动态响应能力。其输入电容和输出电容经过优化设计，确保在高频开关应用中具有快速的开启和关断速度，从而减少开关过渡过程中的能量损耗。这对于现代高频DC-DC变换器尤为重要，能够支持更高的开关频率，进而减小外围电感和电容的体积，提升功率密度。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达+175°C，能够在高温环境中长期可靠运行。同时，器件具有较强的抗雪崩能力，能够在遭遇瞬态过压或负载突变时保持安全工作，避免因击穿导致永久损坏。这种坚固性使其适用于工业控制、电动汽车充电模块和太阳能逆变器等严苛应用场景。
　　此外，UTT80N75L内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=28ns），有效抑制了反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）问题，并提高了同步整流等应用中的效率。其栅极结构经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg），进一步降低了驱动损耗，使控制器更容易驱动该器件，尤其适用于使用PWM控制器或专用门驱动IC的场合。

UTT80N75L广泛应用于各类高效率、大电流的电力电子系统中。常见用途包括但不限于：高性能DC-DC降压或升压转换器，尤其是在服务器电源、通信电源和嵌入式系统中需要将12V或48V母线电压高效转换为低电压大电流输出的场景；电动工具和无人机等设备中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路，利用其低导通电阻和高电流承载能力实现高效电机控制；电池管理系统（BMS）中的充放电开关控制，确保在高倍率充放电过程中保持低损耗和高可靠性；此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器、LED恒流驱动电源以及各类工业电源模块。
　　由于其出色的热性能和电气性能，UTT80N75L特别适合用于需要长时间连续运行且空间受限的应用场合。例如，在紧凑型电源适配器中，它可以在有限的空间内实现高功率输出，同时维持较低的工作温度。在车载电子系统中，面对复杂的电磁环境和宽温工作条件，该MOSFET展现出良好的鲁棒性和稳定性。其高电流能力和快速开关特性也使其成为同步整流拓扑中的理想选择，替代传统的肖特基二极管，以进一步提升转换效率。

UTT80N75S, UT80N75L, FDB8870, IRF1404, CSD87381P