时间：2025/6/4 1:23:51
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UMF23NTR是一种高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能，适合在高效率、高频应用中使用。
UMF23NTR的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下工作，从而简化了与现代微控制器或逻辑电路的接口设计。此外，其紧凑的封装形式使得它非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：8nC
开关时间：ton=19ns, toff=16ns
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场合。
3. 栅极驱动电压兼容性好，支持低至4.5V的驱动电压。
4. 小型化封装，节省PCB板面积。
5. 具备良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源中的同步整流器
2. DC-DC转换器中的功率开关
3. 电池保护电路中的负载开关
4. 消费类电子设备中的电机驱动
5. 便携式设备中的电源管理模块
6. LED驱动器中的开关元件
7. 各种需要高效、小型化解决方案的电子系统
UMS23N03L, FDS6680, AO3400
