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UMF23NTR 发布时间 时间:2025/6/4 1:23:51 查看 阅读:5

UMF23NTR是一种高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能,适合在高效率、高频应用中使用。
  UMF23NTR的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下工作,从而简化了与现代微控制器或逻辑电路的接口设计。此外,其紧凑的封装形式使得它非常适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.1A
  导通电阻:75mΩ
  栅极电荷:8nC
  开关时间:ton=19ns, toff=16ns
  结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-23

特性

1. 极低的导通电阻,能够显著降低功耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用场合。
  3. 栅极驱动电压兼容性好,支持低至4.5V的驱动电压。
  4. 小型化封装,节省PCB板面积。
  5. 具备良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关电源中的同步整流器
  2. DC-DC转换器中的功率开关
  3. 电池保护电路中的负载开关
  4. 消费类电子设备中的电机驱动
  5. 便携式设备中的电源管理模块
  6. LED驱动器中的开关元件
  7. 各种需要高效、小型化解决方案的电子系统

替代型号

UMS23N03L, FDS6680, AO3400

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UMF23NTR参数

  • 制造商ROHM Semiconductor
  • 产品种类Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 配置Dual
  • 晶体管极性PNP
  • 典型输入电阻器10 KOhms at NPN
  • 典型电阻器比率1 at NPN
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体UMT-6
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO50 V at PNP
  • 峰值直流集电极电流100 mA at NPN, 150 mA at PNP
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 55 C
  • 工厂包装数量3000