LMBT493PELT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件采用 SOT-23 封装,适用于高频开关和放大应用。其设计具有较高的电流增益和较低的饱和电压,适用于各种通用和高频应用。该晶体管在工业、消费电子和汽车电子中都有广泛应用。
类型:NPN 晶体管
最大集电极电流 (Ic):100mA
最大集电极-发射极电压 (Vceo):80V
最大集电极-基极电压 (Vcbo):100V
最大发射极-基极电压 (Vebo):5V
最大功耗 (Ptot):300mW
电流增益 (hFE):110 - 800(根据档位)
过渡频率 (fT):100MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
LMBT493PELT1G 具备多项优异特性,适用于多种高频和开关应用。其高电流增益(hFE)范围为 110 至 800,使得该晶体管能够有效放大信号,并适用于不同的电路设计需求。其过渡频率(fT)达到 100MHz,表明其在高频环境下仍能保持良好的性能表现,适合用于射频和中频放大器等高频电路。
此外,LMBT493PELT1G 的最大集电极电流为 100mA,集电极-发射极电压为 80V,集电极-基极电压为 100V,具备较强的电压承受能力,适用于中低功率的开关电路。该晶体管的最大功耗为 300mW,能够在 SOT-23 小型封装下提供良好的散热性能,适合用于空间受限的 PCB 设计。
该晶体管的低饱和电压特性也提高了其在开关应用中的效率,减少了能量损耗。同时,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于工业级和部分汽车电子应用环境,具备较高的可靠性和稳定性。
封装方面,SOT-23 是一种常见的表面贴装封装形式,具有良好的焊接性能和机械稳定性,便于自动化生产和 PCB 集成。
LMBT493PELT1G 可广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
1. **通用开关电路**:由于其较高的电流增益和较低的饱和电压,适用于各种数字开关电路和逻辑控制电路。
2. **信号放大电路**:适用于音频、射频和中频信号放大器的设计,尤其在需要中等功率放大的场合表现出色。
3. **电源管理电路**:可用于 DC-DC 转换器、稳压电路和负载开关控制等电源管理相关应用。
4. **工业控制系统**:适用于工业自动化设备中的传感器信号调理、继电器驱动和小型电机控制等场景。
5. **消费类电子产品**:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等需要小型化、高可靠性的电子系统中。
6. **汽车电子**:适用于汽车中的传感器接口、照明控制和车载娱乐系统等应用,其宽温度范围特性满足汽车工作环境的需求。
BC847B, 2N3904, MMBT493P