UMF105B7102MVHF是一款高性能的MOSFET功率器件,采用先进的制程技术制造。该芯片主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。其卓越的电气性能和可靠性使得它在高频率、高效率的应用场景中表现出色。
这款功率MOSFET采用了小型化封装设计,能够显著降低寄生电感和热阻,从而提升整体系统效率并改善散热性能。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS):100V
最大栅源电压(V_GS):±20V
连续漏极电流(I_D):5A
导通电阻(R_DS(on)):10mΩ(典型值,V_GS=10V)
栅极电荷(Q_g):14nC
输入电容(C_iss):830pF
输出电容(C_oss):160pF
反向传输电容(C_rss):19pF
工作温度范围(T_A):-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻R_DS(on),有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用场合,减少开关损耗。
3. 小型化封装,便于PCB布局和散热管理。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在恶劣环境下长期运行。
5. 栅极电荷低,驱动功耗小,适合电池供电等对能效要求较高的设备。
6. 宽泛的工作温度范围,适应各种工业环境需求。
1. 开关电源(SMPS)中的高频整流与开关控制。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关和保护电路中的关键组件。
5. 便携式电子设备中的高效功率管理解决方案。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
UMF105B7102MVHFA, UMF105B7102MVHFB, IRFZ44N, FDP5501