时间：2025/6/5 11:56:26
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FN21N820J500PAG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET 芯片，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，在确保高效率的同时降低了导通电阻，从而减少了功率损耗。
这款芯片具有良好的热性能和电气特性，适合需要高可靠性和高效能的工业级或消费级电子设备。其封装形式通常为表面贴装类型，方便自动化生产和安装。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：5A
导通电阻（典型值）：0.5Ω
栅极电荷：35nC
开关频率：高达 500kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：PAG
FN21N820J500PAG 的主要特点是其具备高耐压能力，额定漏源电压为 820V，能够适应高压环境下的各种应用场景。
其次，该器件的导通电阻较低，仅为 0.5Ω，这使得它在高电流负载下也能保持较低的功耗。
此外，其快速开关性能支持高达 500kHz 的工作频率，非常适合高频开关应用。
同时，由于采用了优化的封装设计，该芯片拥有优异的散热性能，可长时间稳定运行于高温环境中。最后，它的宽广工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃，进一步提升了其适用性。
FN21N820J500PAG 广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）：用于实现高效的电能转换。
2. DC-DC 转换器：提供稳定的直流电压输出。
3. 电机驱动：控制电动机的速度和方向。
4. 逆变器：将直流电转换为交流电以供家电使用。
5. 充电器电路：为电池供电设备快速充电。
6. 工业自动化设备：如 PLC 控制模块中的功率管理部分。
7. 汽车电子系统：例如车载充电器或引擎控制单元中的功率组件。
IRFP460, STP80NF75, FQA16P80E
