时间：2025/5/15 16:57:25
阅读：8
UMD4NTR是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等需要高效功率转换和控制的领域。其设计特点是具有低导通电阻和高电流承载能力，从而降低功耗并提高系统效率。
这种MOSFET适用于多种工业和消费类电子产品中，尤其是在需要快速开关和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：1900pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
UMD4NTR的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，适合高电流应用。
2. 高雪崩能力，能够承受异常情况下的过压冲击。
3. 快速开关性能，减小了开关损耗。
4. 紧凑型封装，便于PCB布局与散热管理。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅工艺生产。
6. 高可靠性设计，确保长期稳定运行。
该MOSFET适用于以下典型应用场景：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器的高频开关元件。
3. 电动工具及家用电器内的电机驱动电路。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率级控制模块。
IRLB8728PBF, FDP5800, AO3400A
