时间：2025/6/3 14:53:00
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UMD12NTR是一种高压、高功率的MOSFET晶体管，采用TO-220封装形式。这种器件通常用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用中。该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，从而在各种电力电子电路中实现高效能转换和控制。
UMD12NTR是N沟道增强型场效应晶体管，其主要功能是在电路中作为高效的电子开关或放大元件使用。通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动，从而实现对负载的精确控制。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
栅源电压：±20V
导通电阻：0.18Ω
总功耗：140W
结温范围：-55℃至+175℃
UMD12NTR具有较高的雪崩能量承受能力，能够在异常情况下保护器件免受损坏。它还具备快速开关速度，可以有效降低开关损耗，提高整体效率。
此外，该器件的低导通电阻有助于减少传导损耗，特别是在高电流应用场景下表现尤为明显。
由于采用了先进的制造工艺，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行于恶劣的工作环境。
UMD12NTR广泛应用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动控制器以及太阳能逆变器等领域。
在开关电源设计中，该器件可作为主开关管使用，提供高效的电能转换。在电机驱动方面，它可以用来控制大功率电机的启动、停止及调速等功能。
此外，该MOSFET还可用于过流保护电路和负载切换电路中，确保系统安全可靠地运行。
IRF840,
STP12NK65Z,
FDP18N65C,
IXTH12N65L
