您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > UMD12NTR

UMD12NTR 发布时间 时间:2025/6/3 14:53:00 查看 阅读:3

UMD12NTR是一种高压、高功率的MOSFET晶体管,采用TO-220封装形式。这种器件通常用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用中。该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的耐压能力,从而在各种电力电子电路中实现高效能转换和控制。
  UMD12NTR是N沟道增强型场效应晶体管,其主要功能是在电路中作为高效的电子开关或放大元件使用。通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动,从而实现对负载的精确控制。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  栅源电压:±20V
  导通电阻:0.18Ω
  总功耗:140W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

UMD12NTR具有较高的雪崩能量承受能力,能够在异常情况下保护器件免受损坏。它还具备快速开关速度,可以有效降低开关损耗,提高整体效率。
  此外,该器件的低导通电阻有助于减少传导损耗,特别是在高电流应用场景下表现尤为明显。
  由于采用了先进的制造工艺,该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行于恶劣的工作环境。

应用

UMD12NTR广泛应用于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动控制器以及太阳能逆变器等领域。
  在开关电源设计中,该器件可作为主开关管使用,提供高效的电能转换。在电机驱动方面,它可以用来控制大功率电机的启动、停止及调速等功能。
  此外,该MOSFET还可用于过流保护电路和负载切换电路中,确保系统安全可靠地运行。

替代型号

IRF840,
  STP12NK65Z,
  FDP18N65C,
  IXTH12N65L

UMD12NTR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

UMD12NTR资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

UMD12NTR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装UMT6
  • 包装带卷 (TR)