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IS43R16160D-5TLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:03:11 查看 阅读:10

IS43R16160D-5TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗、异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要快速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和通信设备。该SRAM芯片的容量为256K x 16位,工作电压为3.3V,具有高速访问时间(最高可达55ns),适合要求高稳定性和高性能的应用场景。

参数

容量:256K x 16位
  访问时间:55ns(最大)
  电压:3.3V ± 10%
  封装:54引脚 TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  接口类型:异步SRAM
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  数据宽度:16位
  功耗:低功耗CMOS工艺

特性

IS43R16160D-5TLI具有多种关键特性,使其适用于广泛的高性能存储应用。首先,其高速访问时间(55ns)使得该芯片能够在高频系统中实现快速的数据读写操作,适用于对响应时间要求严格的系统。其次,采用低功耗CMOS工艺设计,使其在待机和运行状态下均具有较低的功耗,适用于需要节能设计的嵌入式设备和便携式电子产品。该芯片支持异步接口,允许其与多种微控制器和处理器直接连接,简化系统设计并提高兼容性。
  此外,IS43R16160D-5TLI具备工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于严苛的工业和通信环境,确保设备在各种条件下都能稳定运行。该芯片的54引脚TSOP封装形式具有良好的电气性能和机械稳定性,适合高密度PCB布局。其内部结构优化设计降低了噪声干扰,提高了数据传输的稳定性。综上所述,IS43R16160D-5TLI在性能、功耗、封装和可靠性方面均表现出色,是一款适用于多种应用场景的高性能SRAM芯片。

应用

IS43R16160D-5TLI广泛应用于需要高性能、低延迟存储的嵌入式系统和工业控制设备中。例如,在网络路由器和交换机中,该芯片可用于高速缓存存储路由表和转发信息,提高数据处理效率。在工业自动化系统中,该SRAM可用于缓存传感器数据和控制指令,确保系统的实时性和稳定性。此外,该芯片也适用于测试设备、医疗电子设备、安防监控系统和通信模块,为这些设备提供可靠的存储支持。
  在嵌入式系统中,IS43R16160D-5TLI常作为外部SRAM用于扩展主控芯片的内存容量,满足大容量数据缓存和快速访问的需求。由于其异步接口的灵活性,它可以轻松集成到基于不同处理器架构的系统中,如ARM、PowerPC、MIPS等架构。对于需要高可靠性的应用场景,例如航空航天和汽车电子,该芯片的工业级温度范围和稳定性能使其成为理想选择。

替代型号

IS43R16160B-5TLI, CY62167EVLL-55BZI-SX, IDT71V124SA90PFG

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IS43R16160D-5TLI参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织16 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体TSOP-66
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 访问时间5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min1.65 V
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108