UMB2N 时间：2025/11/8 3:10:58 阅读：7

UMB2N是一种表面贴装的微型二极管，常用于电子电路中的整流、保护和信号处理。该器件封装在SOD-323（或类似的小型化表面贴装）封装中，具有体积小、响应速度快、可靠性高等特点，适用于高密度贴片电路设计。UMB2N由多个半导体制造商生产，不同厂商的产品在电气参数上基本保持兼容，确保了其在多种应用场景下的互换性。该二极管属于通用型肖特基或快恢复类型，具体取决于制造商的设计。其主要功能是在电路中实现单向导电，防止反向电流对敏感元器件造成损害。由于采用表面贴装技术（SMT），UMB2N适合自动化高速贴片生产，广泛应用于消费类电子产品如手机、平板电脑、电源适配器、LED驱动模块以及便携式设备中。此外，该器件也常用于电源管理单元中的电压箝位、反向极性保护和续流路径构建等场合。其小型化封装使其成为空间受限应用的理想选择，同时具备良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型：双二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向压降（VF）：@ IF=150mA: 1.0V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=100V, TA=25°C: 1μA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOD-323
　　极性：共阴极
　　电容（CT）：@ V=0V, f=1MHz: 约15pF

特性

UMB2N二极管的核心特性之一是其共阴极双二极管结构，这意味着两个二极管共享一个公共的阴极端子，这种配置特别适用于需要两个独立但同向整流路径的应用场景。例如，在双路信号整流或双通道电源保护电路中，该结构可以简化PCB布局并减少元件数量，从而节省空间和成本。每个二极管都具备快速开关能力，具有较低的正向导通压降和极短的反向恢复时间，这有助于提高电路效率并减少开关损耗，尤其在高频工作环境下表现优异。
　　该器件的最大重复反向电压为100V，能够承受瞬态过压冲击，适用于中低压电源系统。其最大平均整流电流为300mA，足以满足大多数低功耗电子设备的需求。在150mA的工作电流下，正向压降典型值约为1.0V，这一数值虽然略高于肖特基二极管，但在硅PN结二极管中属于较低水平，有助于降低功耗和温升。反向漏电流在室温下不超过1μA，表现出良好的阻断性能，即使在高温环境下也能保持相对稳定。
　　UMB2N采用SOD-323封装，尺寸小巧（通常约为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），非常适合高密度贴片组装。该封装具有良好的散热性能和机械强度，能够在回流焊过程中保持稳定性。此外，器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品制造标准。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其可在严苛的环境条件下可靠运行，包括工业控制、汽车电子外围电路等对温度敏感的应用领域。

应用

UMB2N广泛应用于各类消费类电子产品中，特别是在需要小型化和高效能的便携式设备中发挥重要作用。常见用途包括USB接口的电源保护，防止反向电压或静电放电（ESD）损坏主控芯片；在DC-DC转换器中作为续流二极管使用，帮助维持电感电流连续性；在多路信号线路中进行电压箝位和瞬态抑制，以保护后续电路免受电压尖峰影响。此外，它也被用于电池供电设备中的反极性保护电路，确保即使电池安装错误也不会导致系统损坏。
　　在LED照明产品中，UMB2N可用于驱动电路中的整流和隔离功能，尤其是在低功率LED模块中替代传统插件式二极管，提升整体集成度。其双二极管共阴极结构使其特别适合用于双色LED控制电路或H桥驱动中的续流路径设计。在通信设备中，该器件可用于信号解调、检波和隔离耦合等模拟信号处理任务。由于其高频响应特性良好，也可用于射频前端电路中的包络检波或限幅电路。
　　在电源适配器、充电器和AC-DC电源模块中，UMB2N常被用作次级侧的整流元件，尤其是在输出电流较小的辅助电源支路中。其表面贴装形式便于自动化生产，提高了制造效率和一致性。此外，在嵌入式系统、微控制器单元（MCU）外围电路中，该二极管可用于I/O端口保护、复位电路去耦以及电源轨之间的隔离，防止交叉供电引发故障。总之，UMB2N凭借其紧凑尺寸、可靠性能和多功能性，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。